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类别 | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA |
制造商 onsemi | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 195nC @ 10V |
包装 托盘 | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 14000pF @ 40V |
零件状态 在售 | 工作温度 175°C（TJ） |
技术 MOSFET（金属氧化物） | 等级 汽车级 |
配置 2 个 N 通道（半桥） | 资质 AEC-Q100 |
漏源电压（Vdss） 80V | 安装类型 通孔 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 200A（Tj） | 封装/外壳 12-PowerDIP 模块（1.118"，28.40mm） |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 0.99 毫欧 @ 80A，10V，1.35 毫欧 @ 80A，10V | 供应商器件封装 APM12-CBA |
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|---|---|---|
| 1 | ¥173.09000 | ¥173.09 |
| 10 | ¥124.29800 | ¥1,242.98 |
| 288 | ¥99.03635 | ¥28,522.47 |
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