产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | onsemi | |
系列 | - | |
包装 | 托盘 | |
零件状态 | 在售 | |
IGBT 类型 | 沟槽型场截止 | |
配置 | 三级反相器 | |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 1200 V | |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 92 A | |
功率 - 最大值 | 266 W | |
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 2.7V @ 15V,80A | |
电流 - 集电极截止(最大值) | 150 µA | |
不同 Vce 时输入电容 (Cies) | 19082 pF @ 20 V | |
输入 | 标准 | |
NTC 热敏电阻 | 无 | |
工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
安装类型 | 底座安装 | |
封装/外壳 | 模块 | |
供应商器件封装 | 32-PIM(71x37.4) | |
基本产品编号 |
现货: 21
检查是否有其他入库库存
数量
所有价格均以 CNY 计算
托盘
| 数量 | 单价 (含 13% 增值税) | 总价 (含 13% 增值税) |
|---|---|---|
| 1 | ¥755.50000 | ¥755.50 |
| 21 | ¥613.46381 | ¥12,882.74 |
