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类别 | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4.4V @ 80mA |
制造商 onsemi | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 622nC @ 20V |
包装 托盘 | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 11914pF @ 800V |
零件状态 在售 | 功率 - 最大值 556W（Tc） |
技术 碳化硅（SiC） | 工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ） |
配置 2 个 N 通道（半桥） | 安装类型 底座安装 |
漏源电压（Vdss） 1200V（1.2kV） | 封装/外壳 模块 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 191A（Tc） | 供应商器件封装 36-PIM（56.7x62.8） |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 8 毫欧 @ 100A，18V | 基本产品编号 |
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| 数量 | 单价 （含 13% 增值税） | 总价 （含 13% 增值税） |
|---|---|---|
| 1 | ¥1,275.40000 | ¥1,275.40 |
| 20 | ¥1,078.90800 | ¥21,578.16 |
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