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类别 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 106nC @ 20V |
制造商 onsemi | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1789pF @ 800V |
包装 管件 | 功率 - 最大值 102W（Tc） |
零件状态 在售 | 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ） |
技术 碳化硅（SiC） | 等级 汽车级 |
配置 6 N-沟道（3 相桥） | 资质 AEC-Q101 |
漏源电压（Vdss） 1200V（1.2kV） | 安装类型 通孔 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 31A（Tc） | 封装/外壳 32-PowerDIP 模块（1.449"，36.80mm） |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 59 毫欧 @ 35A，20V | 供应商器件封装 APM32 |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4，3V @ 10mA |
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| 数量 | 单价 （含 13% 增值税） | 总价 （含 13% 增值税） |
|---|---|---|
| 1 | ¥692.94000 | ¥692.94 |
| 60 | ¥521.30467 | ¥31,278.28 |
