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NVMJD012N06CLTWG | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | 488-NVMJD012N06CLTWGTR-ND - 卷带(TR) 488-NVMJD012N06CLTWGCT-ND - 剪切带(CT) 488-NVMJD012N06CLTWGDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带 |
制造商 | |
制造商产品编号 | NVMJD012N06CLTWG |
描述 | MOSFET 2N-CH 60V 11.5A 8LFPAK |
原厂标准交货期 | 50 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | MOSFET - 阵列 60V 11.5A(Ta),42A(Tc) 3.2W(Ta),42W(Tc) 表面贴装型 8-LFPAK |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | NVMJD012N06CLTWG 型号 |
产品属性
筛选类似产品
显示空属性
类别 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 11.5nC @ 10V |
制造商 onsemi | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 792pF @ 25V |
包装 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 功率 - 最大值 3.2W(Ta),42W(Tc) |
零件状态 在售 | 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) |
技术 MOSFET(金属氧化物) | 等级 汽车级 |
配置 2 N-通道(双) | 资质 AEC-Q101 |
漏源电压(Vdss) 60V | 安装类型 表面贴装型 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 11.5A(Ta),42A(Tc) | 封装/外壳 SOT-1205,8-LFPAK56 |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 11.9 毫欧 @ 25A,10V | 供应商器件封装 8-LFPAK |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 30µA | 基本产品编号 |
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剪切带(CT) & Digi-Reel® 得捷定制卷带
| 数量 | 单价 (含 13% 增值税) | 总价 (含 13% 增值税) |
|---|---|---|
| 1 | ¥13.07000 | ¥13.07 |
| 10 | ¥9.51900 | ¥95.19 |
| 25 | ¥8.64040 | ¥216.01 |
| 100 | ¥7.67540 | ¥767.54 |
| 250 | ¥7.21508 | ¥1,803.77 |
| 500 | ¥6.93720 | ¥3,468.60 |
| 1,000 | ¥6.87443 | ¥6,874.43 |
卷带(TR)
| 数量 | 单价 (含 13% 增值税) | 总价 (含 13% 增值税) |
|---|---|---|
| 3,000 | ¥6.23911 | ¥18,717.33 |
| 6,000 | ¥6.10490 | ¥36,629.40 |

