Name: NVBG030N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 5556-NVBG030N120M3STR-ND
Price: 222.96 CNY
Availability: InStock

图像仅供参考，请参阅产品规格书。

NVBG030N120M3S
DigiKey 零件编号	5556-NVBG030N120M3STR-ND - 卷带（TR） 5556-NVBG030N120M3SCT-ND - 剪切带（CT） 5556-NVBG030N120M3SDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	onsemi
制造商产品编号	NVBG030N120M3S
描述	SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
原厂标准交货期	21 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 1200 V 77A（Tc） 348W（Tc） D2PAK-7
规格书	规格书

产品属性

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 107 nC @ 18 V
制造商 onsemi	Vgs（最大值） +22V，-10V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 2430 pF @ 800 V
零件状态在售	功率耗散（最大值） 348W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
技术 SiCFET（碳化硅）	等级汽车级
漏源电压（Vdss） 1200 V	资质 AEC-Q101
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 77A（Tc）	安装类型表面贴装型
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 18V	供应商器件封装 D2PAK-7
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 39 毫欧 @ 30A，18V	封装/外壳 TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4.4V @ 15mA