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图像仅供参考，请参阅产品规格书。
NTHD4508NT1G | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | NTHD4508NT1GOSTR-ND - 卷带（TR） NTHD4508NT1GOSCT-ND - 剪切带（CT） |
制造商 | |
制造商产品编号 | NTHD4508NT1G |
描述 | MOSFET 2N-CH 20V 3A CHIPFET |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | MOSFET - 阵列 20V 3A 1.13W 表面贴装型 ChipFET™ |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | NTHD4508NT1G 型号 |
产品属性
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显示空属性
类别 | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1.2V @ 250µA |
制造商 onsemi | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 4nC @ 4.5V |
包装 卷带（TR） 剪切带（CT） | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 180pF @ 10V |
零件状态 停产 | 功率 - 最大值 1.13W |
技术 MOSFET（金属氧化物） | 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ） |
配置 2 N-通道（双） | 安装类型 表面贴装型 |
FET 功能 逻辑电平门 | 封装/外壳 8-SMD，扁平引线 |
漏源电压（Vdss） 20V | 供应商器件封装 ChipFET™ |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3A | 基本产品编号 |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 75 毫欧 @ 3.1A，4.5V |
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