Name: NTBG070N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTBG070N120M3STR-ND
Price: 71.78 CNY
Availability: InStock

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NTBG070N120M3S
DigiKey 零件编号	5556-NTBG070N120M3STR-ND - 卷带（TR） 5556-NTBG070N120M3SCT-ND - 剪切带（CT） 5556-NTBG070N120M3SDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	onsemi
制造商产品编号	NTBG070N120M3S
描述	SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
原厂标准交货期	21 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 1200 V 36A（Tc） 172W（Tc） D2PAK-7
规格书	规格书

产品属性

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4.4V @ 7mA
制造商 onsemi	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 57 nC @ 18 V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	Vgs（最大值） +22V，-10V
零件状态在售	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1230 pF @ 800 V
FET 类型 N 通道	功率耗散（最大值） 172W（Tc）
技术 SiCFET（碳化硅）	工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
漏源电压（Vdss） 1200 V	安装类型表面贴装型
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 36A（Tc）	供应商器件封装 D2PAK-7
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 18V	封装/外壳 TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 87 毫欧 @ 15A，18V