产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
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类别 | ||
制造商 | onsemi | |
系列 | ||
包装 | 管件 | |
零件状态 | 停产 | |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
配置 | 6 N-沟道(3 相桥) | |
FET 功能 | 逻辑电平门 | |
漏源电压(Vdss) | 40V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 150A | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 1.66 毫欧 @ 80A,10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | - | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | - | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | - | |
功率 - 最大值 | 115W | |
工作温度 | 175°C(TJ) | |
安装类型 | 通孔 | |
封装/外壳 | 19-PowerDIP 模块 | |
供应商器件封装 | 模块 | |
基本产品编号 |