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类别 | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 150A |
制造商 onsemi | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 1.66 毫欧 @ 80A,10V |
系列 | 功率 - 最大值 115W |
包装 管件 | 工作温度 175°C(TJ) |
零件状态 停产 | 安装类型 通孔 |
技术 MOSFET(金属氧化物) | 封装/外壳 19-PowerDIP 模块 |
配置 6 N-沟道(3 相桥) | 供应商器件封装 模块 |
FET 功能 逻辑电平门 | 基本产品编号 |
漏源电压(Vdss) 40V |
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