Name: FDS86267P
Brand: onsemi
SKU: FDS86267PTR-ND
Price: 20.43 CNY
Availability: InStock

图像仅供参考，请参阅产品规格书。

FDS86267P
DigiKey 零件编号	FDS86267PTR-ND - 卷带（TR） FDS86267PCT-ND - 剪切带（CT） FDS86267PDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	onsemi
制造商产品编号	FDS86267P
描述	MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SOIC
原厂标准交货期	20 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 P 通道 150 V 2.2A（Ta） 1W（Ta） 8-SOIC
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	FDS86267P 型号

产品属性

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA
制造商 onsemi	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 16 nC @ 10 V
系列 PowerTrench®	Vgs（最大值） ±25V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1130 pF @ 75 V
零件状态在售	功率耗散（最大值） 1W（Ta）
FET 类型 P 通道	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型表面贴装型
漏源电压（Vdss） 150 V	供应商器件封装 8-SOIC
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.2A（Ta）	封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V	基本产品编号 FDS86267
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 255 毫欧 @ 2.2A，10V