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FDS6875 已经过时且不再制造。
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类别 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 30 毫欧 @ 6A，4.5V |
制造商 onsemi | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1.5V @ 250µA |
系列 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 31nC @ 5V |
包装 卷带（TR） 剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 2250pF @ 10V |
零件状态 停产 | 功率 - 最大值 900mW |
技术 MOSFET（金属氧化物） | 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ） |
配置 2 个 P 沟道（双） | 安装类型 表面贴装型 |
FET 功能 逻辑电平门 | 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
漏源电压（Vdss） 20V | 供应商器件封装 8-SOIC |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 6A | 基本产品编号 |
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| 零件编号 | 制造商 | 现有数量 | DigiKey 零件编号 | 单价 | 替代类型 |
|---|---|---|---|---|---|
| NTMD6P02R2G | onsemi | 0 | NTMD6P02R2GOSCT-ND | ¥16.04000 | 类似 |
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