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类别 | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA |
制造商 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 151 nC @ 10 V |
系列 | Vgs（最大值） ±30V |
包装 管件 | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 6700 pF @ 100 V |
零件状态 停产 | 功率耗散（最大值） 368W（Tc） |
FET 类型 | 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ） |
技术 | 安装类型 通孔 |
漏源电压（Vdss） 600 V | 供应商器件封装 TO-247-3 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 封装/外壳 |
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V | 基本产品编号 |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 62 毫欧 @ 23.5A，10V |
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替代品 (7)
| 零件编号 | 制造商 | 现有数量 | DigiKey 零件编号 | 单价 | 替代类型 |
|---|---|---|---|---|---|
| NTHL067N65S3H | onsemi | 371 | 488-NTHL067N65S3H-ND | ¥84.52000 | MFR Recommended |
| SIHW47N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | 460 | SIHW47N60EF-GE3-ND | ¥93.95000 | 直接 |
| IPW60R060P7XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPW60R060P7XKSA1-ND | ¥65.17000 | 类似 |
| STW58N65DM2AG | STMicroelectronics | 0 | 497-16137-5-ND | ¥60.83382 | 类似 |
| STW62NM60N | STMicroelectronics | 10 | 497-13288-5-ND | ¥167.14000 | 类似 |
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