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类别 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 67 毫欧 @ 20A,10V |
制造商 | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 3.9mA |
系列 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 80 nC @ 10 V |
包装 管件 | Vgs(最大值) ±30V |
零件状态 在售 | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 3750 pF @ 400 V |
FET 类型 | 功率耗散(最大值) 266W(Tc) |
技术 | 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) |
漏源电压(Vdss) 650 V | 安装类型 通孔 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 供应商器件封装 TO-247-3 |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V | 封装/外壳 |
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| 数量 | 单价 (含 13% 增值税) | 总价 (含 13% 增值税) |
|---|---|---|
| 1 | ¥84.52000 | ¥84.52 |
| 30 | ¥50.08033 | ¥1,502.41 |
| 120 | ¥42.52917 | ¥5,103.50 |
| 510 | ¥39.14400 | ¥19,963.44 |

