MOSFET - 阵列 80V 9,4A(Ta),31A(Tc) 3,2W(Ta),34W(Tc) 表面贴装型 8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道)
图像仅供参考,请参阅产品规格书。
MOSFET - 阵列 80V 9,4A(Ta),31A(Tc) 3,2W(Ta),34W(Tc) 表面贴装型 8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道)
8 Power TDFN

NTMFD6H846NLT1G

DigiKey 零件编号
488-NTMFD6H846NLT1GTR-ND - 卷带(TR)
488-NTMFD6H846NLT1GCT-ND - 剪切带(CT)
488-NTMFD6H846NLT1GDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商
制造商产品编号
NTMFD6H846NLT1G
描述
MOSFET 2N-CH 80V 9.4A 8DFN
原厂标准交货期
52 周
客户内部零件编号
详细描述
MOSFET - 阵列 80V 9,4A(Ta),31A(Tc) 3,2W(Ta),34W(Tc) 表面贴装型 8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道)
规格书
 规格书
产品属性
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类别
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 21µA
制造商
onsemi
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
17nC @ 10V
包装
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
900pF @ 40V
零件状态
在售
功率 - 最大值
3,2W(Ta),34W(Tc)
技术
MOSFET(金属氧化物)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
配置
2 N-通道(双)
安装类型
表面贴装型
漏源电压(Vdss)
80V
封装/外壳
8-PowerTDFN
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9,4A(Ta),31A(Tc)
供应商器件封装
8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
15 毫欧 @ 5A,10V
基本产品编号
环境与出口分类
产品问答
其他资源
替代品 (1)
零件编号制造商 现有数量DigiKey 零件编号 单价替代类型
NVMFD6H846NLT1Gonsemi2,559488-NVMFD6H846NLT1GCT-ND¥24.56000参数等效
现货: 1,146
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所有价格均以 CNY 计算
剪切带(CT) & Digi-Reel® 得捷定制卷带
数量 单价
(含 13% 增值税)
总价
(含 13% 增值税)
1¥18.77000¥18.77
10¥12.00000¥120.00
100¥8.12940¥812.94
500¥6.47310¥3,236.55
* 所有 Digi-Reel® 订单会收取 ¥49.00 卷盘费。
卷带(TR)
数量 单价
(含 13% 增值税)
总价
(含 13% 增值税)
1,500¥5.29815¥7,947.22
3,000¥4.91993¥14,759.79
制造商标准包装