MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV),700V 317A(Tc),227A(Tc) 1253W(Tc),613W(Tc) 底座安装
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MSCSM120HRM08NG

DigiKey 零件编号
150-MSCSM120HRM08NG-ND
制造商
制造商产品编号
MSCSM120HRM08NG
描述
MOSFET 4N-CH 1200V/700V 317A
原厂标准交货期
20 周
客户内部零件编号
详细描述
MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV),700V 317A(Tc),227A(Tc) 1253W(Tc),613W(Tc) 底座安装
规格书
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产品属性
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类别
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
7.8 毫欧 @ 160A,20V,9.5 毫欧 @ 80A,20V
制造商
Microchip Technology
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.8V @ 12mA,2.4V @ 8mA
包装
管件
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
928nC @ 20V,430nC @ 20V
零件状态
在售
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
12100pF @ 1000V,9000pF @ 700V
技术
碳化硅(SiC)
功率 - 最大值
1253W(Tc),613W(Tc)
配置
4 个 N 通道(三级反相器)
工作温度
-40°C ~ 175°C(TJ)
漏源电压(Vdss)
1200V(1.2kV),700V
安装类型
底座安装
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
317A(Tc),227A(Tc)
封装/外壳
模块
环境与出口分类
产品问答
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