MSC080SMA330B4 Microchip Technology | 单 FET，MOSFET

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.97V @ 3mA
制造商 Microchip Technology	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 55 nC @ 20 V
系列 MSiC™ MA	Vgs（最大值） +23V，-10V
包装管件	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 3462 pF @ 2400 V
零件状态停产	功率耗散（最大值） 381W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
技术 SiCFET（碳化硅）	安装类型通孔
漏源电压（Vdss） 3300 V	供应商器件封装 TO-247-4
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 41A（Tc）	封装/外壳 TO-247-4
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 20V	基本产品编号 MSC080
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 105 毫欧 @ 30A，20V

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零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
MSC080SMA330B4N	Microchip Technology	0	150-MSC080SMA330B4N-ND	¥521.92000	MFR Recommended

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