APTM50HM75STG
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APTM100H45SCTG

DigiKey 零件编号
APTM100H45SCTG-ND
制造商
Microchip Technology
制造商产品编号
APTM100H45SCTG
描述
MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4
原厂标准交货期
20 周
客户内部零件编号
详细描述
MOSFET - 阵列 1000V（1kV） 18A 357W 底座安装 SP4
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Microchip Technology
系列
POWER MOS 7®
包装
散装
零件状态
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
4 N 沟道（全桥）
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
1000V（1kV）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
18A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
540 毫欧 @ 9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
154nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4350pF @ 25V
功率 - 最大值
357W
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
SP4
供应商器件封装
SP4
基本产品编号
APTM100
现货: 1
美国库存可立即发货
一旦现有产品库存耗尽，将采用制造商的标准包装和提前期。
数量
所有价格均以 CNY 计算
散装
数量 单价
（含 13% 增值税）
总价
（含 13% 增值税）
1¥1,307.95000¥1,307.95
制造商标准包装
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