通孔 N 沟道,耗尽型 500 V 3A(Tc) 125W(Tc) TO-220-3
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IXTP3N50D2

DigiKey 零件编号
IXTP3N50D2-ND
制造商
制造商产品编号
IXTP3N50D2
描述
MOSFET N-CH 500V 3A TO220AB
原厂标准交货期
32 周
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 沟道,耗尽型 500 V 3A(Tc) 125W(Tc) TO-220-3
规格书
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产品属性
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类别
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
40 nC @ 5 V
制造商
Vgs(最大值)
±20V
系列
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1070 pF @ 25 V
包装
管件
功率耗散(最大值)
125W(Tc)
零件状态
在售
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
FET 类型
安装类型
通孔
技术
供应商器件封装
TO-220-3
漏源电压(Vdss)
500 V
封装/外壳
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
基本产品编号
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.5 欧姆 @ 1.5A,0V
环境与出口分类
产品问答
其他资源
现货: 183
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管件
数量 单价
(含 13% 增值税)
总价
(含 13% 增值税)
1¥48.96000¥48.96
50¥25.68820¥1,284.41
100¥23.43630¥2,343.63
500¥19.49254¥9,746.27
1,000¥18.22641¥18,226.41
2,000¥17.36183¥34,723.66
制造商标准包装
注意:由于 DigiKey 的增值服务,当产品采购数量低于标准包装时,包装类型可能有变。