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IXTH52N65X 已经过时且不再制造。
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图像仅供参考，请参阅产品规格书。
IXTH52N65X | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | IXTH52N65X-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | IXTH52N65X |
描述 | MOSFET N-CH 650V 52A TO247 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 通孔 N 通道 650 V 52A（Tc） 660W（Tc） TO-247（IXTH） |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | IXTH52N65X 型号 |
产品属性
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类别 | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5V @ 250µA |
制造商 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 113 nC @ 10 V |
系列 | Vgs（最大值） ±30V |
包装 管件 | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 4350 pF @ 25 V |
零件状态 停产 | 功率耗散（最大值） 660W（Tc） |
FET 类型 | 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ） |
技术 | 安装类型 通孔 |
漏源电压（Vdss） 650 V | 供应商器件封装 TO-247（IXTH） |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 封装/外壳 |
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V | 基本产品编号 |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 68 毫欧 @ 26A，10V |
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替代品 (6)
| 零件编号 | 制造商 | 现有数量 | DigiKey 零件编号 | 单价 | 替代类型 |
|---|---|---|---|---|---|
| IXTH48N65X2 | IXYS | 450 | IXTH48N65X2-ND | ¥109.49000 | MFR Recommended |
| FCH47N60N | onsemi | 1,816 | 1990-FCH47N60N-ND | ¥116.61000 | 类似 |
| IPW60R060P7XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPW60R060P7XKSA1-ND | ¥65.17000 | 类似 |
| SIHG47N60E-E3 | Vishay Siliconix | 509 | SIHG47N60E-E3-ND | ¥92.46000 | 类似 |
| STW56N65DM2 | STMicroelectronics | 913 | 497-16337-5-ND | ¥109.41000 | 类似 |
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