Name: IXTH16N20D2
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTH16N20D2-ND
Price: 204.43 CNY
Availability: InStock

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 208 nC @ 5 V
制造商 IXYS	Vgs（最大值） ±20V
系列 Depletion	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 5500 pF @ 25 V
包装管件	功率耗散（最大值） 695W（Tc）
零件状态在售	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
FET 类型 N 沟道，耗尽型	安装类型通孔
技术 MOSFET（金属氧化物）	供应商器件封装 TO-247（IXTH）
漏源电压（Vdss） 200 V	封装/外壳 TO-247-3
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 16A（Tc）	基本产品编号 IXTH16
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 73 毫欧 @ 8A，0V