Name: IXSJ25N120R1
Brand: IXYS
SKU: 238-IXSJ25N120R1-ND
Price: 133.89 CNY
Availability: InStock

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4.8V @ 5.3mA
制造商 IXYS	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 52 nC @ 18 V
包装管件	Vgs（最大值） +21V，-4V
零件状态在售	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1435 pF @ 800 V
FET 类型 N 通道	功率耗散（最大值） 75.3W（Tc）
技术 SiCFET（碳化硅）	工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）
漏源电压（Vdss） 1200 V	安装类型通孔
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 28A（Tc）	供应商器件封装 ISO247-3L
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 18V	封装/外壳 TO-247-3
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 81 毫欧 @ 12A，18V