IXFN55N120SK IXYS | 单 FET，MOSFET

图像仅供参考，请参阅产品规格书。

产品属性

筛选类似产品

显示空属性

类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 42 毫欧 @ 40A，15V
制造商 IXYS	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3.6V @ 12mA
包装管件	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 107 nC @ 15 V
零件状态停产	Vgs（最大值） +15V，-4V
FET 类型 N 通道	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 3360 pF @ 1000 V
技术 SiCFET（碳化硅）	工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）
漏源电压（Vdss） 1200 V	安装类型底座安装
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 54A（Tc）	供应商器件封装 SOT-227B
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 15V	封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC

报告产品信息错误

文档与媒体

环境与出口分类

其他资源

过期

此产品已停产。

IXFN55N120SK