Name: ISG0616N10NM5HSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISG0616N10NM5HSCATMA1TR-ND
Price: 57.89 CNY
Availability: OutOfStock

MOSFET - 阵列 100V 19A（Ta），139A（Tc） 3W（Ta），167W（Tc）表面贴装型 PG-WHITFN-10-1

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ISG0616N10NM5HSCATMA1
DigiKey 零件编号	448-ISG0616N10NM5HSCATMA1TR-ND - 卷带（TR） 448-ISG0616N10NM5HSCATMA1CT-ND - 剪切带（CT） 448-ISG0616N10NM5HSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Infineon Technologies
制造商产品编号	ISG0616N10NM5HSCATMA1
描述	MOSFET 2N-CH 100V 19A 10WHITFN
原厂标准交货期	48 周
客户内部零件编号
详细描述	MOSFET - 阵列 100V 19A（Ta），139A（Tc） 3W（Ta），167W（Tc）表面贴装型 PG-WHITFN-10-1
规格书	规格书

产品属性

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET FET、MOSFET 阵列	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 4 毫欧 @ 50A，10V
制造商 Infineon Technologies	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3.8V @ 85µA
系列 OptiMOS™ 5	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 78nC @ 10V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 4800pF @ 50V
零件状态在售	功率 - 最大值 3W（Ta），167W（Tc）
技术 MOSFET（金属氧化物）	工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
配置 2 个 N 通道（半桥）	安装类型表面贴装型
漏源电压（Vdss） 100V	封装/外壳 10-PowerWDFN
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 19A（Ta），139A（Tc）	供应商器件封装 PG-WHITFN-10-1