MOSFET - 阵列 40V 7.2A(Ta),9.6A(Tc) 1.4W(Ta),2.5W(Tc) 表面贴装型 PG-DSO-8-920
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MOSFET - 阵列 40V 7.2A(Ta),9.6A(Tc) 1.4W(Ta),2.5W(Tc) 表面贴装型 PG-DSO-8-920
Infineon OptiMOSTM Dual N+N channel and N+P channel power MOSFETs in 30 V and 40 V in SO-8 package

ISA170170N04LMDSXTMA1

DigiKey 零件编号
448-ISA170170N04LMDSXTMA1TR-ND - 卷带(TR)
448-ISA170170N04LMDSXTMA1CT-ND - 剪切带(CT)
448-ISA170170N04LMDSXTMA1DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商
制造商产品编号
ISA170170N04LMDSXTMA1
描述
ISA170170N04LMDSXTMA1
原厂标准交货期
23 周
客户内部零件编号
详细描述
MOSFET - 阵列 40V 7.2A(Ta),9.6A(Tc) 1.4W(Ta),2.5W(Tc) 表面贴装型 PG-DSO-8-920
规格书
 规格书
产品属性
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类别
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
17 毫欧 @ 9.6A,10V
制造商
Infineon Technologies
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.7V @ 1mA
系列
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
19.5nC @ 10V
包装
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1100pF @ 20V
零件状态
在售
功率 - 最大值
1.4W(Ta),2.5W(Tc)
技术
MOSFET(金属氧化物)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
配置
2 N-通道(双)
安装类型
表面贴装型
FET 功能
逻辑电平门
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
漏源电压(Vdss)
40V
供应商器件封装
PG-DSO-8-920
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7.2A(Ta),9.6A(Tc)
环境与出口分类
产品问答
其他资源
现货: 134
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所有价格均以 CNY 计算
剪切带(CT) & Digi-Reel® 得捷定制卷带
数量 单价
(含 13% 增值税)
总价
(含 13% 增值税)
1¥10.17000¥10.17
10¥6.36800¥63.68
100¥4.15150¥415.15
500¥3.19818¥1,599.09
1,000¥2.89078¥2,890.78
2,000¥2.63205¥5,264.10
* 所有 Digi-Reel® 订单会收取 ¥49.00 卷盘费。
卷带(TR)
数量 单价
(含 13% 增值税)
总价
(含 13% 增值税)
4,000¥2.41443¥9,657.72
8,000¥2.23139¥17,851.12
12,000¥2.13815¥25,657.80
20,000¥2.03341¥40,668.20
28,000¥1.97140¥55,199.20
40,000¥1.91114¥76,445.60
制造商标准包装