IPP80N06S2H5AKSA1 没有现货,且当前不提供缺货下单。
可用替代品:

直接


STMicroelectronics
现货: 407
单价: ¥24.48000
规格书

直接


STMicroelectronics
现货: 928
单价: ¥26.22000
规格书

直接


STMicroelectronics
现货: 0
单价: ¥24.56000
规格书

直接


STMicroelectronics
现货: 1,002
单价: ¥25.14000
规格书

类似


Diodes Incorporated
现货: 0
单价: ¥7.25940
规格书

类似


Vishay Siliconix
现货: 1,718
单价: ¥32.58000
规格书

类似


Vishay Siliconix
现货: 732
单价: ¥33.08000
规格书

类似


IXYS
现货: 14
单价: ¥48.79000
规格书
通孔 N 通道 55 V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
图像仅供参考,请参阅产品规格书。

IPP80N06S2H5AKSA1

DigiKey 零件编号
IPP80N06S2H5AKSA1-ND
制造商
制造商产品编号
IPP80N06S2H5AKSA1
描述
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 55 V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
规格书
 规格书
产品属性
筛选类似产品
显示空属性
类别
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
155 nC @ 10 V
制造商
Vgs(最大值)
±20V
系列
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
4400 pF @ 25 V
包装
管件
功率耗散(最大值)
300W(Tc)
零件状态
DigiKey 停止提供
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
FET 类型
等级
汽车级
技术
资质
AEC-Q101
漏源电压(Vdss)
55 V
安装类型
通孔
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
供应商器件封装
PG-TO220-3-1
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
封装/外壳
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
5.5 毫欧 @ 80A,10V
基本产品编号
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 230µA
环境与出口分类
产品问答
其他资源
替代品 (8)
零件编号制造商 现有数量DigiKey 零件编号 单价替代类型
STP140NF55STMicroelectronics407497-4370-5-ND¥24.48000直接
STP141NF55STMicroelectronics928497-7023-5-ND¥26.22000直接
STP80NF55-06STMicroelectronics0497-2774-5-ND¥24.56000直接
STP80NF55-08STMicroelectronics1,002497-3202-5-ND¥25.14000直接
DMTH6005LCTDiodes Incorporated0DMTH6005LCT-ND¥7.25940类似
现货: 0
由于临时供应限制,我们无法接受进行缺货订购,且目前产品的交货期不确定。 查看 替代品。