DMTH6005LCT 可以购买了,但通常没有现货。
可用替代品:

类似


onsemi
现货: 804
单价: ¥28.83000
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 6,556
单价: ¥32.32000
规格书

类似


IXYS
现货: 0
单价: ¥11.32900

类似


IXYS
现货: 214
单价: ¥36.47000
规格书

类似


IXYS
现货: 14
单价: ¥48.79000
规格书

类似


IXYS
现货: 0
单价: ¥15.09280

类似


STMicroelectronics
现货: 447
单价: ¥38.54000
规格书

类似


Vishay Siliconix
现货: 0
单价: ¥0.00000
规格书
通孔 N 通道 60 V 100A(Tc) 2.8W(Ta),125W(Tc) TO-220-3
图像仅供参考,请参阅产品规格书。

DMTH6005LCT

DigiKey 零件编号
DMTH6005LCT-ND
制造商
制造商产品编号
DMTH6005LCT
描述
MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB
原厂标准交货期
12 周
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 60 V 100A(Tc) 2.8W(Ta),125W(Tc) TO-220-3
规格书
 规格书
产品属性
筛选类似产品
显示空属性
类别
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
47.1 nC @ 10 V
制造商
Vgs(最大值)
±20V
包装
管件
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2962 pF @ 30 V
零件状态
在售
功率耗散(最大值)
2.8W(Ta),125W(Tc)
FET 类型
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
技术
等级
汽车级
漏源电压(Vdss)
60 V
资质
AEC-Q101
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
安装类型
通孔
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
供应商器件封装
TO-220-3
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
6 毫欧 @ 20A,10V
封装/外壳
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA
基本产品编号
环境与出口分类
产品问答
其他资源
替代品 (8)
零件编号制造商 现有数量DigiKey 零件编号 单价替代类型
FDP070AN06A0onsemi804FDP070AN06A0-ND¥28.83000类似
IRF1407PBFInfineon Technologies6,556IRF1407PBF-ND¥32.32000类似
IXTP110N055TIXYS0IXTP110N055T-ND¥11.32900类似
IXTP110N055T2IXYS214IXTP110N055T2-ND¥36.47000类似
IXTP120N075T2IXYS14IXTP120N075T2-ND¥48.79000类似
按订单供货
厂方库存:50
查看交期

这是供应商的存货,下单时可以随时提供给 DigiKey。

所有价格均以 CNY 计算
管件
数量 单价
(含 13% 增值税)
总价
(含 13% 增值税)
50¥7.25940¥362.97
制造商标准包装
注意:由于 DigiKey 的增值服务,当产品采购数量低于标准包装时,包装类型可能有变。