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IPD80R1K0CEBTMA1 没有现货，且当前不提供缺货下单。
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图像仅供参考，请参阅产品规格书。
IPD80R1K0CEBTMA1 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | IPD80R1K0CEBTMA1TR-ND - 卷带（TR） |
制造商 | |
制造商产品编号 | IPD80R1K0CEBTMA1 |
描述 | MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 表面贴装型 N 通道 800 V 5.7A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3-11 |
规格书 | 规格书 |
产品属性
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显示空属性
类别 | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3.9V @ 250µA |
制造商 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 31 nC @ 10 V |
系列 | Vgs（最大值） ±20V |
包装 卷带（TR） | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 785 pF @ 100 V |
零件状态 DigiKey 停止提供 | 功率耗散（最大值） 83W（Tc） |
FET 类型 | 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ） |
技术 | 安装类型 表面贴装型 |
漏源电压（Vdss） 800 V | 供应商器件封装 PG-TO252-3-11 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 封装/外壳 |
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V | 基本产品编号 |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 950 毫欧 @ 3.6A，10V |
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替代品 (2)
| 零件编号 | 制造商 | 现有数量 | DigiKey 零件编号 | 单价 | 替代类型 |
|---|---|---|---|---|---|
| IPD80R1K0CEATMA1 | Infineon Technologies | 4,234 | IPD80R1K0CEATMA1CT-ND | ¥20.84000 | 直接 |
| STD7N80K5 | STMicroelectronics | 10,947 | 497-13642-1-ND | ¥23.40000 | 类似 |
现货: 0
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