IPB65R190CFDATMA1 已经过时且不再制造。
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图像仅供参考,请参阅产品规格书。
表面贴装型 N 通道 650 V 17.5A(Tc) 151W(Tc) PG-TO263-3
PG-T0263-3

IPB65R190CFDATMA1

DigiKey 零件编号
IPB65R190CFDATMA1TR-ND - 卷带(TR)
制造商
制造商产品编号
IPB65R190CFDATMA1
描述
MOSFET N-CH 650V 17.5A D2PAK
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 N 通道 650 V 17.5A(Tc) 151W(Tc) PG-TO263-3
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
IPB65R190CFDATMA1 型号
产品属性
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显示空属性
类别
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 730µA
制造商
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
68 nC @ 10 V
系列
Vgs(最大值)
±20V
包装
卷带(TR)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1850 pF @ 100 V
零件状态
停产
功率耗散(最大值)
151W(Tc)
FET 类型
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
技术
安装类型
表面贴装型
漏源电压(Vdss)
650 V
供应商器件封装
PG-TO263-3
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
封装/外壳
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
基本产品编号
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
190 毫欧 @ 7.3A,10V
环境与出口分类
产品问答
其他资源
替代品 (11)
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