Name: FCB199N65S3
Brand: onsemi
SKU: 488-FCB199N65S3TR-ND
Price: 42.67 CNY
Availability: InStock

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FCB199N65S3
DigiKey 零件编号	488-FCB199N65S3TR-ND - 卷带（TR） 488-FCB199N65S3CT-ND - 剪切带（CT） 488-FCB199N65S3DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	onsemi
制造商产品编号	FCB199N65S3
描述	MOSFET N-CH 650V 14A D2PAK
原厂标准交货期	18 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 650 V 14A（Tc） 98W（Tc） TO-263（D2PAK）
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	FCB199N65S3 型号

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4.5V @ 1.4mA
制造商 onsemi	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 30 nC @ 10 V
系列 SuperFET® III	Vgs（最大值） ±30V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1225 pF @ 400 V
零件状态在售	功率耗散（最大值） 98W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型表面贴装型
漏源电压（Vdss） 650 V	供应商器件封装 TO-263（D2PAK）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 14A（Tc）	封装/外壳 TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	基本产品编号 FCB199
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 199 毫欧 @ 7A，10V

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替代品 (4)

零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
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