Name: IMWH170R650M1XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMWH170R650M1XKSA1-ND
Price: 66.74 CNY
Availability: InStock

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 580 毫欧 @ 1.5A，15V
制造商 Infineon Technologies	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5.7V @ 1.7mA
系列 CoolSiC™	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 8.1 nC @ 12 V
包装管件	Vgs（最大值） 15V，12V
零件状态在售	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 337 pF @ 1000 V
FET 类型 N 通道	功率耗散（最大值） 88W（Tc）
技术 SiCFET（碳化硅）	工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
漏源电压（Vdss） 1700 V	安装类型通孔
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 7.5A（Tc）	供应商器件封装 PG-TO247-3-U04
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 12V，15V	封装/外壳 TO-247-3