Name: IMBG65R060M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG65R060M2HXTMA1TR-ND
Price: 69.8 CNY
Availability: InStock

图像仅供参考，请参阅产品规格书。

IMBG65R060M2HXTMA1
DigiKey 零件编号	448-IMBG65R060M2HXTMA1TR-ND - 卷带（TR） 448-IMBG65R060M2HXTMA1CT-ND - 剪切带（CT） 448-IMBG65R060M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Infineon Technologies
制造商产品编号	IMBG65R060M2HXTMA1
描述	SILICON CARBIDE MOSFET
原厂标准交货期	61 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 650 V 34.9A（Tc） 148W（Tc） PG-TO263-7-12
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	IMBG65R060M2HXTMA1 型号

产品属性

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 55 毫欧 @ 15.4A，20V
制造商 Infineon Technologies	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5.6V @ 3.1mA
系列 CoolSiC™	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 18 nC @ 18 V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	Vgs（最大值） +23V，-7V
零件状态在售	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 669 pF @ 400 V
FET 类型 N 通道	功率耗散（最大值） 148W（Tc）
技术 SiCFET（碳化硅）	工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
漏源电压（Vdss） 650 V	安装类型表面贴装型
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 34.9A（Tc）	供应商器件封装 PG-TO263-7-12
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 15V，20V	封装/外壳 TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA