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FF3MR12KM1HHPSA1 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | 448-FF3MR12KM1HHPSA1-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | FF3MR12KM1HHPSA1 |
描述 | MOSFET 2N-CH 1200V 190A AG62MMHB |
原厂标准交货期 | 23 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 190A(Tc) 底座安装 AG-62MMHB |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | FF3MR12KM1HHPSA1 型号 |
产品属性
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显示空属性
类别 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 4.44 毫欧 @ 280A,18V |
制造商 Infineon Technologies | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 5.1V @ 112mA |
系列 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 800nC @ 18V |
包装 盒 | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 24200pF @ 800V |
零件状态 在售 | 工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ) |
技术 碳化硅(SiC) | 安装类型 底座安装 |
配置 2 个 N 通道(半桥) | 封装/外壳 模块 |
漏源电压(Vdss) 1200V(1.2kV) | 供应商器件封装 AG-62MMHB |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 190A(Tc) |
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| 10 | ¥2,621.59700 | ¥26,215.97 |
| 30 | ¥2,498.97233 | ¥74,969.17 |