MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 190A(Tc) 底座安装 AG-62MMHB
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FF3MR12KM1HHPSA1

DigiKey 零件编号
448-FF3MR12KM1HHPSA1-ND
制造商
制造商产品编号
FF3MR12KM1HHPSA1
描述
MOSFET 2N-CH 1200V 190A AG62MMHB
原厂标准交货期
23 周
客户内部零件编号
详细描述
MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 190A(Tc) 底座安装 AG-62MMHB
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
FF3MR12KM1HHPSA1 型号
产品属性
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类别
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
4.44 毫欧 @ 280A,18V
制造商
Infineon Technologies
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5.1V @ 112mA
系列
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
800nC @ 18V
包装
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
24200pF @ 800V
零件状态
在售
工作温度
-40°C ~ 175°C(TJ)
技术
碳化硅(SiC)
安装类型
底座安装
配置
2 个 N 通道(半桥)
封装/外壳
模块
漏源电压(Vdss)
1200V(1.2kV)
供应商器件封装
AG-62MMHB
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
190A(Tc)
环境与出口分类
产品问答
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总价
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1¥3,041.46000¥3,041.46
10¥2,621.59700¥26,215.97
30¥2,498.97233¥74,969.17
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