Name: BSZ060NE2LSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ060NE2LSATMA1TR-ND
Price: 8.19 CNY
Availability: InStock

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BSZ060NE2LSATMA1
DigiKey 零件编号	BSZ060NE2LSATMA1TR-ND - 卷带（TR） BSZ060NE2LSATMA1CT-ND - 剪切带（CT） BSZ060NE2LSATMA1DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Infineon Technologies
制造商产品编号	BSZ060NE2LSATMA1
描述	MOSFET N-CH 25V 12A/44A TSDSON
原厂标准交货期	61 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 25 V 12A（Ta），44A（Tc） 2.1W（Ta），26W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	BSZ060NE2LSATMA1 型号

产品属性

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2V @ 250µA
制造商 Infineon Technologies	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 12 nC @ 10 V
系列 OptiMOS™	Vgs（最大值） ±20V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 890 pF @ 12 V
零件状态在售	功率耗散（最大值） 2.1W（Ta），26W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型表面贴装型
漏源电压（Vdss） 25 V	供应商器件封装 PG-TSDSON-8-FL
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 12A（Ta），44A（Tc）	封装/外壳 8-PowerTDFN
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V	基本产品编号 BSZ060
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 6 毫欧 @ 20A，10V