Name: BSZ018NE2LSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ018NE2LSATMA1TR-ND
Price: 16.71 CNY
Availability: InStock

图像仅供参考，请参阅产品规格书。

BSZ018NE2LSATMA1
DigiKey 零件编号	BSZ018NE2LSATMA1TR-ND - 卷带（TR） BSZ018NE2LSATMA1CT-ND - 剪切带（CT） BSZ018NE2LSATMA1DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Infineon Technologies
制造商产品编号	BSZ018NE2LSATMA1
描述	MOSFET N-CH 25V 23A/40A TSDSON
原厂标准交货期	61 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 25 V 23A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	BSZ018NE2LSATMA1 型号

产品属性

筛选类似产品

显示空属性

类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2V @ 250µA
制造商 Infineon Technologies	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 39 nC @ 10 V
系列 OptiMOS™	Vgs（最大值） ±20V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 2800 pF @ 12 V
零件状态在售	功率耗散（最大值） 2.1W（Ta），69W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型表面贴装型
漏源电压（Vdss） 25 V	供应商器件封装 PG-TSDSON-8-FL
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 23A（Ta），40A（Tc）	封装/外壳 8-PowerTDFN
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V	基本产品编号 BSZ018
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 1.8 毫欧 @ 30A，10V