AUIRF7103Q Infineon Technologies | FET、MOSFET 阵列

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET FET、MOSFET 阵列	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3V @ 250µA
制造商 Infineon Technologies	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 15nC @ 10V
系列 HEXFET®	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 255pF @ 25V
包装管件	功率 - 最大值 2.4W
零件状态停产	工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型表面贴装型
配置 2 N-通道（双）	封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
漏源电压（Vdss） 50V	供应商器件封装 8-SO
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3A	基本产品编号 AUIRF7103
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 130 毫欧 @ 3A，10V

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