Name: DMTH10H017LPDQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH10H017LPDQ-13TR-ND
Price: 17.53 CNY
Availability: InStock

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DMTH10H017LPDQ-13
DigiKey 零件编号	31-DMTH10H017LPDQ-13TR-ND - 卷带（TR） 31-DMTH10H017LPDQ-13CT-ND - 剪切带（CT） 31-DMTH10H017LPDQ-13DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Diodes Incorporated
制造商产品编号	DMTH10H017LPDQ-13
描述	MOSFET 2N-CH 100V 13A PWRDI50
原厂标准交货期	40 周
客户内部零件编号
详细描述	MOSFET - 阵列 100V 13A（Ta），59A（Tc） 1.5W（Ta）， 93W（Tc）表面贴装型 PowerDI5060-8（标准 E）
规格书	规格书

产品属性

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET FET、MOSFET 阵列	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 28.6nC @ 10V
制造商 Diodes Incorporated	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1986pF @ 50V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	功率 - 最大值 1.5W（Ta）， 93W（Tc）
零件状态在售	工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	等级汽车级
配置 2 N-通道（双）	资质 AEC-Q101
漏源电压（Vdss） 100V	安装类型表面贴装型
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 13A（Ta），59A（Tc）	封装/外壳 8-PowerTDFN
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 17.4 毫欧 @ 17A，10V	供应商器件封装 PowerDI5060-8（标准 E）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3V @ 250µA	基本产品编号 DMTH10