MOSFET - 阵列 100V 6A(Ta) 900mW 表面贴装型 V-DFN5045-12(C 类)
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DMHT10H032LFJ-13

DigiKey 零件编号
31-DMHT10H032LFJ-13TR-ND - 卷带(TR)
制造商
Diodes Incorporated
制造商产品编号
DMHT10H032LFJ-13
描述
MOSFET 4N-CH 100V 6A 12VDFN
原厂标准交货期
12 周
客户内部零件编号
详细描述
MOSFET - 阵列 100V 6A(Ta) 900mW 表面贴装型 V-DFN5045-12(C 类)
规格书
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产品属性
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类别
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA
制造商
Diodes Incorporated
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
11.9nC @ 10V
包装
卷带(TR)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
683pF @ 50V
零件状态
在售
功率 - 最大值
900mW
技术
MOSFET(金属氧化物)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
配置
4 N 沟道(全桥)
安装类型
表面贴装型
漏源电压(Vdss)
100V
封装/外壳
12-PowerVDFN
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6A(Ta)
供应商器件封装
V-DFN5045-12(C 类)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
33 毫欧 @ 6A,10V
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卷带(TR)
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3,000¥4.33654¥13,009.62
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