单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

SIHS36N50D-GE3 D SERIES POWER MOSFET SUPER-247, Vishay Siliconix	530 现货	1 : ¥52.13000 管件	D	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	500 V	36A（Tc）	10V	130 毫欧 @ 18A，10V	5V @ 250µA	125 nC @ 10 V	±30V	3233 pF @ 100 V	-	446W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-247AC	TO-247-3
SIHD3N50D-BE3 MOSFET N-CH 500V 3A DPAK Vishay Siliconix	0 现货查看交期	1 : ¥7.31000 管件	D	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	500 V	3A（Tc）	10V	3.2 欧姆 @ 1.5A，10V	5V @ 250µA	12 nC @ 10 V	±30V	175 pF @ 100 V	-	69W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	TO-252AA	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
SIHD3N50DT4-GE3 MOSFET N-CH 500V 3A DPAK Vishay Siliconix	0 现货查看交期	3,000 : ¥2.76477 管件	D	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	500 V	3A（Tc）	10V	3.2 欧姆 @ 1.5A，10V	5V @ 250µA	12 nC @ 10 V	±30V	175 pF @ 100 V	-	69W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	TO-252AA	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63