单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

CMS2301T-HF MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3 Comchip Technology	0 现货	停产	CMS	散装	停产	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	20 V	3A（Ta）	2.5V，4.5V	110 毫欧 @ 3A，4.5V	1V @ 250µA	12 nC @ 2.5 V	±12V	405 pF @ 10 V	-	1W（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	SOT-23-3	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
CMS3400-HF MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3 Comchip Technology	0 现货	停产	CMS	散装	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	5.8A（Ta）	2.5V，10V	41 毫欧 @ 5.8A，10V	1.4V @ 250µA	9.5 nC @ 4.5 V	±12V	820 pF @ 15 V	-	1.4W（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	SOT-23-3	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
CMS0103M-HF MOSFET N-CH 100V 3A SOT89-3 Comchip Technology	0 现货	停产	CMS	散装	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	3A（Ta）	4.5V，10V	160 毫欧 @ 3A，10V	2V @ 250µA	20 nC @ 10 V	±20V	650 pF @ 50 V	-	1.5W（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	SOT-89-3L	TO-243AA