Name: FQB12P20TM
Brand: onsemi
SKU: FQB12P20TMTR-ND
Price: 16.09 CNY
Availability: OutOfStock

FQB12P20TM 没有现货，但可以进行缺货下单。

可用替代品:

类似

Vishay Siliconix

现货: 6,030

单价: ¥19.13000

FQB12P20TM
DigiKey 零件编号	FQB12P20TMTR-ND - 卷带（TR） FQB12P20TMCT-ND - 剪切带（CT） FQB12P20TMDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	onsemi
制造商产品编号	FQB12P20TM
描述	MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK
原厂标准交货期	36 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 P 通道 200 V 11.5A（Tc） 3.13W（Ta），120W（Tc） TO-263（D2PAK）
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	FQB12P20TM 型号

产品属性

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	onsemi
系列	QFET®
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	在售
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	11.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	470 毫欧 @ 5.75A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	40 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1200 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	3.13W（Ta），120W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	TO-263（D2PAK）
封装/外壳	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
基本产品编号	FQB12P20