存储器

结果 : 4
制造商
Alliance Memory, Inc.ISSI, Integrated Silicon Solution IncMicron Technology Inc.Renesas Electronics Corporation
包装
卷带（TR）托盘
产品状态
停产最后售卖在售
存储器格式
DRAMSRAM
技术
SDRAM - DDR3SDRAM - 移动 LPSDRSRAM - 双端口，同步SRAM - 异步
存储容量
576Kb1Mb128Mb4Gb
存储器组织
16K x 3664K x 168M x 16256M x 16
时钟频率
133 MHz800 MHz
写周期时间 - 字，页
10ns15ns-
访问时间
5.4 ns6 ns10 ns20 ns
电压 - 供电
1.425V ~ 1.575V2.4V ~ 3.6V3V ~ 3.6V3.15V ~ 3.45V
工作温度
-40°C ~ 85°C（TA）0°C ~ 70°C（TA）0°C ~ 95°C（TC）
封装/外壳
48-TFBGA54-VFBGA96-TFBGA208-LFBGA
供应商器件封装
48-TFBGA（6x8）54-VFBGA（8x8）96-FBGA（13.5x9）208-CABGA（15x15）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
搜索条目
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
DigiKey 可编程
存储器类型
存储器格式
技术
存储容量
存储器组织
存储器接口
时钟频率
写周期时间 - 字，页
访问时间
电压 - 供电
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
0
现货
查看交期
960 : ¥13.05791
托盘
-
托盘
在售
未验证
易失
SRAM
SRAM - 异步
1Mb
64K x 16
并联
-
10ns
10 ns
2.4V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装型
48-TFBGA
48-TFBGA（6x8）
0
现货
1,000 : ¥40.31299
卷带（TR）
-
卷带（TR）
停产
未验证
易失
DRAM
SDRAM - 移动 LPSDR
128Mb
8M x 16
并联
133 MHz
15ns
5.4 ns
3V ~ 3.6V
0°C ~ 70°C（TA）
表面贴装型
54-VFBGA
54-VFBGA（8x8）
0
现货
最后售卖
-
托盘
最后售卖
未验证
易失
SRAM
SRAM - 双端口，同步
576Kb
16K x 36
并联
-
-
6 ns
3.15V ~ 3.45V
0°C ~ 70°C（TA）
表面贴装型
208-LFBGA
208-CABGA（15x15）
96-FBGA
AS4C256M16D3B-12BCN
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
Alliance Memory, Inc.
0
现货
停产
-
托盘
停产
未验证
易失
DRAM
SDRAM - DDR3
4Gb
256M x 16
并联
800 MHz
15ns
20 ns
1.425V ~ 1.575V
0°C ~ 95°C（TC）
表面贴装型
96-TFBGA
96-FBGA（13.5x9）
显示
/ 4

存储器

存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。