RF FET,MOSFET

结果 : 5
频率
717MHz ~ 850MHz865MHz ~ 960MHz1.805GHz ~ 1.88GHz1.93GHz ~ 1.995GHz2.496GHz ~ 2.69GHz
增益
14.2dB15.1dB16.6dB18.2dB18.3dB
电压 - 测试
48 V50 V
电流 - 测试
300 mA350 mA
功率 - 输出
85W112W
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
频率
增益
电压 - 测试
额定电流(安培)
噪声系数
电流 - 测试
功率 - 输出
电压 - 额定
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
0
现货
查看交期
250 : ¥985.65516
散装
-
散装
在售
GaN
-
1.805GHz ~ 1.88GHz
16.6dB
48 V
-
-
300 mA
85W
125 V
-
-
表面贴装型
OM-780-4S4S
OM-780-4S4S
0
现货
查看交期
250 : ¥1,038.00400
散装
-
散装
在售
GaN
-
1.93GHz ~ 1.995GHz
15.1dB
48 V
-
-
300 mA
85W
125 V
-
-
表面贴装型
OM-780-4S4S
OM-780-4S4S
0
现货
查看交期
250 : ¥1,090.17436
散装
-
散装
在售
GaN
-
2.496GHz ~ 2.69GHz
14.2dB
48 V
-
-
300 mA
85W
125 V
-
-
表面贴装型
OM-780-4S4S
OM-780-4S4S
0
现货
查看交期
250 : ¥1,146.55668
散装
-
散装
在售
GaN
-
717MHz ~ 850MHz
18.3dB
50 V
-
-
350 mA
112W
125 V
-
-
表面贴装型
OM-780-4S4S
OM-780-4S4S
0
现货
查看交期
250 : ¥1,146.56416
散装
-
散装
在售
GaN
-
865MHz ~ 960MHz
18.2dB
50 V
-
-
350 mA
112W
125 V
-
-
表面贴装型
OM-780-4S4S
OM-780-4S4S
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RF FET,MOSFET


射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。