单 FET，MOSFET

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
漏源电压（Vdss）
200 V250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
22A（Tc）45A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
55 毫欧 @ 22.5A，10V140 毫欧 @ 11A，10V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
60 nC @ 10 V80 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3200 pF @ 25 V4200 pF @ 25 V
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
搜索条目
显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
LPTS
RCJ220N25TL
MOSFET N-CH 250V 22A LPTS
Rohm Semiconductor
980
现货
1 : ¥23.89000
剪切带（CT）
1,000 : ¥11.31782
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
22A（Tc）
10V
140 毫欧 @ 11A，10V
5V @ 1mA
60 nC @ 10 V
±30V
3200 pF @ 25 V
-
1.56W（Ta），40W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
LPTS
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
LPTS
RCJ450N20TL
MOSFET N-CH 200V 45A LPTS
Rohm Semiconductor
57
现货
1 : ¥26.52000
剪切带（CT）
1,000 : ¥14.02247
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
45A（Tc）
10V
55 毫欧 @ 22.5A，10V
5V @ 1mA
80 nC @ 10 V
±30V
4200 pF @ 25 V
-
1.56W（Ta），40W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
LPTS
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。