Transphorm

TP65H035G4WS SuperGaN® 35mΩ GaN FET

Transphorm 的 650 V 四代 SuperGaN 器件采用 TO-247 封装

Transphorm 的 TP65H035G4WS SuperGaN® 35mΩ GaN FET 图片采用 Transphorm 符合 JEDEC 标准的 四代 GaN 平台打造，高电压 TP65H035G4WS 以标准 TO247 封装提供了 35 mΩ 的导通电阻，轻松实现了可驱动性。当在无桥图腾柱 PFC 拓扑中使用时，该 FET 的性能和整体设计优势得到最大化。作为 SuperGaN 产品组合的一部分，该器件提供 4 V 阈值和 ±20 V 栅极稳健性，搭配最高质量、最高可靠性 (Q+R) 的 GaN 功率半导体。

应用
  • AC/DC 转换器
  • DC/DC 转换器
  • DC/AC 逆变器系统

TP65H035G4WS SuperGaN® 35mΩ GaN FET

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GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3TP65H035G4WSGANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3871 - 立即发货$147.28查看详情
发布日期： 2022-05-26

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