Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

45 V 和 60 V 超高能效 MOSFET

Toshiba 扩充了其超高能效 MOSFET 系列，为公司的现有产品线新增具有 DSOP Advance 封装 (5 mm x 6 mm) 选择的 45 V 和 60 V 器件

Toshiba 的 45 V 和 60 V 超高能效 MOSFET 图片Toshiba 扩充了其超高能效、低电压系列 MOSFET 产品，为公司的现有产品线新增 45 V 和 60 V 器件。 所有这些器件均提供超紧凑 DSOP Advance 封装选择。这种封装可实现低导通电阻、低 QOSS，进而提升开关模式电源的能效。 它们适用于基站、服务器或工业设备。

这些 N 沟道 MOSFET 包括一个 45 V 器件和一个 60 V 器件，基于 Toshiba 的新一代 U-MOS IX-H 沟槽半导体工艺。 这种工艺旨在通过降低导通电阻 (RDS(ON))，以及通过减小输出电荷 (QOSS) 提升开关效率，最终在实现各种各样的负载条件下拥有业内一流的能效。

MOSFET 有助于设计人员减少各种电源管理电路的损耗和板空间，包括 DC-DC 转换中的低压侧开关电路及 AC-DC 设计中的次级侧同步整流电路。 这些技术也非常适合用于电机控制，以及基于锂离子 (Li-ion) 电池的电子设备保护电路。

在电压 (VGS) 为 10 V 时，45 V MOSFET 的最大额定 RDS(ON) 仅 0.75 mΩ，而 COSS 的典型值为 1860 pF。 60 V 器件的 RDS(ON) 和 COSS（典型值）分别为 0.95 mΩ 和 1160 pF。 这样，就可确保灵活地为给定应用进行性能优化。

UMOS IX-H MOSFET 均采用低厚度表面贴装 DSOP Advance 封装：采用双侧冷却封装，尺寸仅为 5 mm x 6 mm。所有 MOSFET 工作时的通道温度均可达 175°C。

特性
  • 低漏源导通电阻
  • 低输出电荷（漏源电容电荷）
  • DSOP Advance 封装：双侧冷却封装 (5 mm x 6 mm x 0.95 mm)
应用
  • 服务器和基站电源
  • 高能效 DC-DC 转换器
  • 开关稳压器

45 V and 60 V Ultra-High-Efficiency MOSFETs

图片制造商零件编号描述可供货数量价格查看详情
MOSFET N-CH 45V 300A 8DSOPTPW1R005PL,L1QMOSFET N-CH 45V 300A 8DSOP38 - 立即发货$23.50查看详情
MOSFET N-CH 60V 260A 8DSOPTPW1R306PL,L1QMOSFET N-CH 60V 260A 8DSOP13776 - 立即发货$23.48查看详情
发布日期： 2016-10-13