LM66100/-Q1 低 IQ 理想二极管 - TI

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            LM66100/-Q1 通用/汽车低 IQ 理想二极管
  
                    Texas Instruments 的 5.5 V 二极管具有输入极性保护和集成 FET

Texas Instruments 的 LM66100 低 IQ 理想二极管图片 Texas Instruments 的 LM66100（通用）和 LM66100-Q1（汽车）是单输入单输出 (SISO) 集成理想二极管，非常适合各种应用。该器件内置一个 P 沟道 MOSFET，可在 1.5 V 至 5.5 V 的输入电压范围内工作，并可支持 1.5 A 的最大连续电流。可通过比较 CE 引脚电压和输入电压来实现片选 (CE)。当 CE 引脚电压高于 V_IN 时，器件禁用，MOSFET 关闭。当 CE 引脚电压较低时，MOSFET 导通。LM66100 和 LM66100-Q1 二极管提供反极性保护 (RPP)，以保护设备免受错误接线输入的影响，例如电池反接情况。

两个 LM66100 器件可用于 O 圈配置，类似于双二极管 O 圈实现。在此配置中，器件将最高输入电压传递到输出，同时阻止反向电流流入输入电源。这些器件可以比较输入和输出电压，以确保通过内部电压比较器来阻止反向电流。这些二极管采用标准 SC-70 封装，工作结温范围为 -40°C 至 +125°C。

特性

符合汽车应用 AEC-Q100 标准 (LMR43620-Q1)：
- 工作环境温度范围 1 级：-40°C 至 +125°C
导通电阻 (R_ON)：
- 5 V_IN = 79 mΩ（典型值）
- 3.6 V_IN = 91 mΩ（典型值）
- 1.8 V_IN = 141 mΩ（典型值）
宽工作电压范围：1.5 V 至 5.5 V

低电流消耗：
- 3.6 V_IN 关断电流 (I_SD,V_IN)：120 nA（典型值）
- 3.6 V_IN 静态电流 (I_Q,V_IN)：150 nA（典型值）
连续电流 (I_MAX)：1.5 A（最大值）
比较器 CE
通道状态指示 (ST)
V_IN 反向电压平衡：-6 V（绝对最大值）

应用

LM66100-Q1：
- 信息娱乐和仪表主机
- 汽车仪表盘显示器
- ADAS 环视系统 ECU
- 车身控制模块 (BCM) 和网关

LM66100：
- 智能量表
- 楼宇自动化
- GPS 和跟踪
- 主电池和备用电池

LM66100 General-Purpose Low-IQ Ideal Diodes

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