Texas Instruments

CSD17581Q3A N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

Texas Instruments 推出采用 3.3 mm x 3.3 mm VSONP 封装的 CSD17581Q3A、30 V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET

Texas Instruments 的 CSD17581Q3A N 沟道 NexFET™ Power MOSFET 图片Texas Instruments 的 30 V、3.2 mΩ、VSONP 3.3 mm x 3.3 mm NexFET 功率 MOSFET 设计用于将电源转换应用的损耗降至最低。 这些器件包括负载点同步降压转换器，适用于网络、电信和计算系统、电机控制应用，而且经过优化后还可用于控制 FET 应用。

特性
  • 低 QG和 QGD
  • 低 RDS(ON)
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅
  • 符合 RoHS 规范
  • 无卤素
  • VSONP 3.3 mm x 3.3 mm 塑料封装

CSD17581Q3A N-Channel NexFET Power MOSFET

图片制造商零件编号描述可供货数量价格查看详情
MOSFET N-CH 30V 60A 8VSONCSD17581Q3ATMOSFET N-CH 30V 60A 8VSON8963 - 立即发货$14.06查看详情
MOSFET N-CH 30V 21A 8VSONCSD17581Q3AMOSFET N-CH 30V 21A 8VSON4848 - 立即发货$9.01查看详情
发布日期： 2017-01-11

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