STMicroelectronics

射频功率 LDMOS 晶体管

STMicroelectronics 的晶体管具有非常高的效率、更低的运营成本和更低的散热

图像 STMicroelectronics 射频功率 LDMOS 晶体管STMicroelectronics 的 28 V、32 V 和 50 V 射频功率 LDMOS 晶体管具有非常高的效率、更低的运营成本和更低的散热，从而实现更简单、成本更低的冷却解决方案和更紧凑的系统。STMicroelectronics 最新的 28 V 和 50 V LDMOS 技术旨在提高晶体管的功率饱和能力，最大限度地减少更高功率水平下的失真，具有改进的射频性能（+3 dB，+15% 效率）、稳健性和可靠性。

特性
  • 高效率和线性增益操作
  • 集成 ESD 保护
  • 易于使用的内部匹配
  • 用于改进 C 类操作的大正负栅源电压范围
  • 符合欧洲指令 2002/95/EC
应用
  • 电信和卫星通信
  • 航空电子设备和雷达
  • 军事
  • ISM 和广播

RF Power LDMOS Transistors

图片制造商零件编号描述增益电压 - 测试额定电流（安培）可供货数量价格查看详情
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发布日期： 2021-08-11