650 V IGBT HB 系列

STMicroelectronics 的 HB 系列绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 相比高频设备，其关断能耗降低了 40%，同时传导损耗也降低了 30%。 HB 系列采用 ST 先进的沟槽式栅极场截止高速技术，具有最小的集电极关断尾电流，且饱和电压（Vce(sat)) 低至 1.6 V（典型值），因此最大程度地降低了切换和接通时的能量损失。 此外，这种技术非常便于控制，参数分布窗口紧密、增强了可重复性、简化了系统设计。

ST 的 HB 系列 IGBT 提升了太阳能逆变器、感应加热器、焊机、不间断电源、功率因数校正以及其他高频功率转换器的能效。 650 V 的扩展电压额定值可确保在低至 -40°C 的环境温度中具有至少 600 V 击穿电压，因而使得这些器件非常适用于在寒冷地区销售的太阳能逆变器。 最高工作结温为 175°C 和宽安全工作区 (SOA) 提高了可靠性，因此可使用更小的散热器。 产品选择包括 30 A 至 80 A (100°C 时）的最大额定电流范围、最受欢迎的功率封装，以及针对谐振式或硬开关电路进行了优化的共封装二极管。