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市场产品
图像仅供参考，请参阅产品规格书。
STGWT60H65DFB | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | 497-14232-5-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | STGWT60H65DFB |
描述 | IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-3P |
原厂标准交货期 | 15 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | IGBT 沟槽型场截止 650 V 80 A 375 W 通孔 TO-3P |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | STGWT60H65DFB 型号 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | STMicroelectronics | |
系列 | - | |
包装 | 管件 | |
零件状态 | 在售 | |
IGBT 类型 | 沟槽型场截止 | |
电压 - 集射极击穿（最大值） | 650 V | |
电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 80 A | |
电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 240 A | |
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） | 2V @ 15V，60A | |
功率 - 最大值 | 375 W | |
开关能量 | 1.09mJ（导通），626µJ（关断） | |
输入类型 | 标准 | |
栅极电荷 | 306 nC | |
25°C 时 Td（开/关）值 | 51ns/160ns | |
测试条件 | 400V，60A，5 欧姆，15V | |
反向恢复时间 (trr) | 60 ns | |
工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | |
安装类型 | 通孔 | |
封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 | |
供应商器件封装 | TO-3P | |
基本产品编号 |
现货: 144
美国库存可立即发货
数量
所有价格均以 CNY 计算
管件
| 数量 | 单价 （含 13% 增值税） | 总价 （含 13% 增值税） |
|---|---|---|
| 1 | ¥41.85000 | ¥41.85 |
| 30 | ¥23.41167 | ¥702.35 |
| 120 | ¥19.35267 | ¥2,322.32 |
| 510 | ¥16.37598 | ¥8,351.75 |
| 1,020 | ¥15.37768 | ¥15,685.23 |
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